کمپانی کره ای سامسونگ یک حرفه ای را برای سیستم های هوش مصنوعی (AI) و سرور و یا پایگاه های داده (HPC)، عرضه کرده است. این محصول با نام SZ985 Z-SSD دارای ظرفیت 800 گیگابایت است. سری Z-SSD را در سال 2017 معرفی نمود؛ این در حالی بود که این محصولات با دقت و طول عمر بالا در کنار سرعت و تراکنش قدرتمند و همچنین نرخ شکست پایین است.

سالید جدید SZ985 Z-SSD از تراشه های Z-NAND با 4 گیت بهره می برد که عملکرد مستقیم آن برای هر هسته، تا 10 برابر به نسبت مدل های 3 -bit V-NAND افزایش یافته است. حافظه رم این مدل از نوع پیشرفته ی LPDDR4 با ظرفیت 1.5 گیگابایت است. افزون بر آن، کنترلر های سری Z-SSD از نسخه های ویژه سامسونگ هستند. SZ985 Z-SSD دارای سرعت خواندن اتفاقی 750K IOPS بوده و زمان تاخیر نوشتن در آن نیز تا 16 میکروثانیه کاهش یافته است؛ زمان تاخیر نوشتن تا 5 برابر و سرعت خواندن اتفاقی نیز 1.7 برابر بهبود را در مقایسه با مدل NVMe SSD PM963 که از تراشه های 3 -bit V-NAND بهره می برد، نشان می دهند.

طول عمر این محصول 800 گیگابایتی نیز مثال زدنی است؛ قابلیت نوشتن 30 درایو در روز (DWPD) برای 5 سال متوالی، با ظرفیت 42 پتابایت. همچنین زمان شکست محصول بر اساس زمان نیز بالای 2 میلیون ساعت ذکر شده است. می دانیم که طول عمر درایو های SSD حتی بیش از مقدار اعلام شده توسط کمپانی است. نشست ISSCC 2018 در سانفرانسیسکو، میزبان معرفی فناوری های جدید SSD-NAND از سوی سامسونگ خواهد بود.

کمپانی کره ای سامسونگ یک حرفه ای را برای سیستم های هوش مصنوعی (AI) و سرور و یا پایگاه های داده (HPC)، عرضه کرده است. این محصول با نام SZ985 Z-SSD دارای ظرفیت 800 گیگابایت است. سری Z-SSD را در سال 2017 معرفی نمود؛ این در حالی بود که این محصولات با دقت و طول عمر بالا در کنار سرعت و تراکنش قدرتمند و همچنین نرخ شکست پایین است.

سالید جدید SZ985 Z-SSD از تراشه های Z-NAND با 4 گیت بهره می برد که عملکرد مستقیم آن برای هر هسته، تا 10 برابر به نسبت مدل های 3 -bit V-NAND افزایش یافته است. حافظه رم این مدل از نوع پیشرفته ی LPDDR4 با ظرفیت 1.5 گیگابایت است. افزون بر آن، کنترلر های سری Z-SSD از نسخه های ویژه سامسونگ هستند. SZ985 Z-SSD دارای سرعت خواندن اتفاقی 750K IOPS بوده و زمان تاخیر نوشتن در آن نیز تا 16 میکروثانیه کاهش یافته است؛ زمان تاخیر نوشتن تا 5 برابر و سرعت خواندن اتفاقی نیز 1.7 برابر بهبود را در مقایسه با مدل NVMe SSD PM963 که از تراشه های 3 -bit V-NAND بهره می برد، نشان می دهند.

(image)

طول عمر این محصول 800 گیگابایتی نیز مثال زدنی است؛ قابلیت نوشتن 30 درایو در روز (DWPD) برای 5 سال متوالی، با ظرفیت 42 پتابایت. همچنین زمان شکست محصول بر اساس زمان نیز بالای 2 میلیون ساعت ذکر شده است. می دانیم که طول عمر درایو های SSD حتی بیش از مقدار اعلام شده توسط کمپانی است. نشست ISSCC 2018 در سانفرانسیسکو، میزبان معرفی فناوری های جدید SSD-NAND از سوی سامسونگ خواهد بود.