پس از آنکه سامسونگ الکترونیک در روزهای اخیر اقدام به با پهنای باند 16 گیگابیت و بر روی پشته های 2 گیگابایتی نمود، دومین برند بزرگ در این زمینه با نام SK Hynix نیز گونه های جدید از تراشه های GDDR6 را به سبد کالای خود افزود. این تراشه ها با عناوین H56C8H24MJR-S2C و H56C8H24MJR-S0C به کاتالوگ محصولات این غول کره ای افزوده شده اند.

مدل های H56C8H24MJR-S2C که دست کم در ابتدا در پشته های 1 گیگابایتی عرضه می شوند، در مدل هایی با پهنای باند 12 گیگابیت و 14 گیگابیت در ثانیه تولید می گردند. و اما مدل های H56C8H24MJR-S0C در مدل های 10 و 12 گیگابیت در ثانیه تولید می گردند. تراشه های S2C با ولتاژ راه انداز 1.35 ولت و مدل های S0C نیز با ولتاژ 1.25 ولت فعال خواهند بود. از سوی دیگر سامسونگ با تراشه های GDDR6 جدید، سرعت و پهنای بیشتری را ارئه می دهد.

((تراشه های 16 گیگابیتی سامسونگ بر روی پشته های 2 گیگابایتی و بر اساس لیتوگرافی 10 نانومتری تولید گشته است که در برابر تراشه های GDDR5 با لیتوگرافی 20 نانومتری، دارای پهنای باندی دو برابری هستند. ولتاژ کاری تراشه های GDDR6 برابر با 1.35 ولت است که به نسبت تراشه های GDDR5 تا 35% کاهش یافته است. این تراشه ها تا 30% افزایش بهره وری را به نسبت مدل های 20 نانومتری GDDR5 ارائه خواهند کرد.))

انتظار می رود که تراشه های GDDR6 نخست در کارت گرافیک های NVIDIA Volta مورد استفاده قرار گیرد که در سال 2018 معرفی خواهند شد. این محصولات به سرعت جایگزین تراشه های پر خرج و پیچیده HBM می گردد؛ اما این به معنی نابودی حافظه های HBM2 نخواهد بود.

پس از آنکه سامسونگ الکترونیک در روزهای اخیر اقدام به با پهنای باند 16 گیگابیت و بر روی پشته های 2 گیگابایتی نمود، دومین برند بزرگ در این زمینه با نام SK Hynix نیز گونه های جدید از تراشه های GDDR6 را به سبد کالای خود افزود. این تراشه ها با عناوین H56C8H24MJR-S2C و H56C8H24MJR-S0C به کاتالوگ محصولات این غول کره ای افزوده شده اند.

مدل های H56C8H24MJR-S2C که دست کم در ابتدا در پشته های 1 گیگابایتی عرضه می شوند، در مدل هایی با پهنای باند 12 گیگابیت و 14 گیگابیت در ثانیه تولید می گردند. و اما مدل های H56C8H24MJR-S0C در مدل های 10 و 12 گیگابیت در ثانیه تولید می گردند. تراشه های S2C با ولتاژ راه انداز 1.35 ولت و مدل های S0C نیز با ولتاژ 1.25 ولت فعال خواهند بود. از سوی دیگر سامسونگ با تراشه های GDDR6 جدید، سرعت و پهنای بیشتری را ارئه می دهد.

(image)

((تراشه های 16 گیگابیتی سامسونگ بر روی پشته های 2 گیگابایتی و بر اساس لیتوگرافی 10 نانومتری تولید گشته است که در برابر تراشه های GDDR5 با لیتوگرافی 20 نانومتری، دارای پهنای باندی دو برابری هستند. ولتاژ کاری تراشه های GDDR6 برابر با 1.35 ولت است که به نسبت تراشه های GDDR5 تا 35% کاهش یافته است. این تراشه ها تا 30% افزایش بهره وری را به نسبت مدل های 20 نانومتری GDDR5 ارائه خواهند کرد.))

انتظار می رود که تراشه های GDDR6 نخست در کارت گرافیک های NVIDIA Volta مورد استفاده قرار گیرد که در سال 2018 معرفی خواهند شد. این محصولات به سرعت جایگزین تراشه های پر خرج و پیچیده HBM می گردد؛ اما این به معنی نابودی حافظه های HBM2 نخواهد بود.